IGBT動(dòng)態(tài)特性是 ：IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過(guò)程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開(kāi)通延遲時(shí)間，tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和。靜態(tài)特性有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特。6U德國(guó)西門(mén)康IGBT功率模塊六單元全新現(xiàn)貨

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。西門(mén)康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)

西門(mén)康IGBT驅(qū)動(dòng)板 包括三大類(lèi)：Driver驅(qū)動(dòng)板、Driver Core驅(qū)動(dòng)芯、Adaptor Board適配板，適于驅(qū)動(dòng)600V、1200V、1700V三種電壓等級(jí)的IGBT模塊。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；西門(mén)康IGBT模塊SKM電子元器件半導(dǎo)體全系列

IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)。西門(mén)康SEMIKRON賽米控IGBT模塊電子元器件2U

SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計(jì)，可用于20kW至500kW的逆變器。通過(guò)多渠道采購(gòu)的IGBT以及賽米控CAL二極管，這些模塊的規(guī)格可達(dá)到900A和 1700V。憑借超過(guò)25年的市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)，SEMITRANS封裝提供成熟可靠、久經(jīng)考驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)。西門(mén)康IGBT模塊分立半導(dǎo)體模塊一單元(1U)