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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。POWEREX模塊原裝現貨當天可發
更新時間：2024-07-31
產品型號：LD431650
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肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。威士VISHAY模塊原裝現貨供應
更新時間：2024-07-29產品型號：VS-FB190SA10瀏覽量：437
MOS晶體管模塊GENESIC現貨供應，MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
更新時間：2024-07-29產品型號：瀏覽量：481
富士電機IGBT模塊已開發用作電機變速驅動器的功率轉換器的開關元件，不間斷電源等。IGBT是一種半導體器件，它將功率MOSFET的高速開關性能與雙極晶體管的高電壓/高電流處理能力相結合。模塊 富士FUJI IGBT模塊 代理 原裝現貨
更新時間：2024-07-29產品型號：瀏覽量：674
富士FUJI模塊現貨供應，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，應用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。
更新時間：2024-07-29產品型號：瀏覽量：406
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