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絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應晶體管(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,應用領域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發射極。原廠揚杰IGBT模塊現貨供應
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