IHV B 3300 V 1500 A 190 mm 單開關 IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關損耗和發射極控制二極管。具有：直流電壓穩定性、高短路能力、自限制短路電流、低開關損耗、出色的堅固性、低 VCEsat，具有正溫度系數、鋁碳化硅基板，用于提高熱循環能力、絕緣基板等特征。FZ1600R17KE/KF 英飛凌 IGBT模塊全系列現貨

英飛凌模塊單開關 IGBT模塊3300V 1500A，IHV B 3300 V 1500 A 190 mm 單開關 IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關損耗和發射極控制二極管。具有：直流電壓穩定性、高短路能力、自限制短路電流、低開關損耗、出色的堅固性、低 VCEsat，具有正溫度系數、鋁碳化硅基板，用于提高熱循環能力、絕緣基板等特征。

FZ800R Plug-and-Play系列 英飛凌大功率IGBT 模塊，具有第二代 IGBT 和發射極控制二極管——適用于牽引和工業應用的成熟解決方案。具有高可靠性和堅固的模塊結構特征和高功率密度可實現緊湊型逆變器設計，標準封裝的優勢。大功率*全新現貨英飛凌IGBT模塊半導體

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FZ800R Plug-and-Play系列 英飛凌大功率IGBT 模塊，具有第二代 IGBT 和發射極控制二極管——適用于牽引和工業應用的成熟解決方案。具有高可靠性和堅固的模塊結構特征和高功率密度可實現緊湊型逆變器設計，標準封裝的優勢。Infineon英飛凌IGBT模塊 可控硅模塊 1200V