IGBT使用注意事項（1）操作過程中要佩戴防靜電手環（2）盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸（3）IGBT模塊驅動端子上的黑色海綿是防靜電材料，用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線（4）在焊接作業時，設備容易引起靜電的產生，為了防止靜電的產生，先將設備處于良好的接地狀態下。英飛凌IGBT模塊4單元H橋電子元器件半導體

選擇IGBT模塊時，通常是先計算通過IGBT模塊的電流值，然后根據電力電子設備的特點，考慮到過載、電網波動、開關尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應的IGBT模塊。但嚴格的選擇，應根據不同的應用情況，計算耗散功率，通過熱阻核算具最高結溫不超過規定值來選擇器件。通過最高結溫可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號齊全

因為大多數IGBT模塊工作在交流電網通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作電壓，均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載，電網波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收等設計比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。全新*英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導體

對于一個具體的應用來說，在選擇IGBT功率模塊時，需要考慮其在任何靜態、動態、過載（如短路）的運行情況下：器件耐壓；在實際的冷卻條件下，電流的承受力；合適的開關頻率；安全工作區（SOA)限制；最高運行限制；封裝尺寸等等。英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”。西門康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件 SKIIP 系列