IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...
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Product CenterIGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...
查看詳情在供電系統中,MOS管的主要作用的是穩壓。MOS管芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯片提供電氣連接和隔...
查看詳情MOS管導通特性,導通的意義是作為開關,相當于開關閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,適宜用于源極接地時的情況(低端驅動),只需柵極電壓抵達4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小...
查看詳情MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管,是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比擬,場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特性,場效應管的品種很多,主要分為結...
查看詳情MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體。MOS管的Source和Drain是可以對調的...
查看詳情MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管,屬于場效應管中的絕緣柵型。因此,M...
查看詳情MOS具有以下特點:開關速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩定性優良、無二次擊穿問題、全工作區寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大小與重量,提供給設計者一種高速度、高功率...
查看詳情mos管在電路中一般用作電子開關,在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路,漏極原封不動地接負載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負載接多高的電壓,都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是M...
查看詳情IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環境多使用IGBT模塊,IHS數據顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊,主要應用于中小功率變頻系統。IGBT模塊主要有五種結構。以2 ...
查看詳情在電動汽車的“三電”方面,TESLA的Model S使用的三相異步驅動電機,其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片,三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量,就可知需求的龐大。此外,充...
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