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                • 英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R
                  英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R

                  在電動汽車的“三電”方面,TESLA的Model S使用的三相異步驅動電機,其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片,三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量,就可知需求的龐大。此外,充...

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                • IGBT模塊2U/6U全新*Infineon英飛凌系列
                  IGBT模塊2U/6U全新*Infineon英飛凌系列

                  由于系統結構的問題,有時驅動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上,而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內部的柵極綁定線雜散電感一起,構成了柵極回路電感Lg。它...

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                • 1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導體
                  1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導體

                  IGBT開通性能而言,有兩個比較重要的表現指標:一個是開通時橋臂電流的變化率di/dt,另一個是器件從關斷狀態到導通狀態所產生的開通損耗。前者如果太高,續流二極管(FWD)也會有一個很快的反向恢復過程...

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                • 英飛凌IGBT模塊1單元BSM系列1200V/1700V
                  英飛凌IGBT模塊1單元BSM系列1200V/1700V

                  如今,IGBT已被廣泛應用于工業電源領域。與MOSFET相同,它也是一種壓控型器件。其開關性能可通過IGBT驅動設置加以控制或影響。優化IGBT開關性能對于系統設計而言十分重要,因為不同的開關損耗會影...

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                • 英飛凌IGBT模塊BSM系列GB2單元功率模塊
                  英飛凌IGBT模塊BSM系列GB2單元功率模塊

                  德國infineon公司生產的IGBT模塊品種繁多,為了使客戶選型方便,我們對其按電壓等級進行分類,共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五種電...

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                • 英飛凌IGBT模塊4單元H橋電子元器件半導體
                  英飛凌IGBT模塊4單元H橋電子元器件半導體

                  IGBT使用注意事項(1)操作過程中要佩戴防靜電手環(2)盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸(3)IGBT模塊驅動端子上的黑色...

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                • Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號齊全
                  Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號齊全

                  選擇IGBT模塊時,通常是先計算通過IGBT模塊的電流值,然后根據電力電子設備的特點,考慮到過載、電網波動、開關尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應的IGBT模塊。但嚴格的選擇,應根據不同的應用情況...

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                • 全新*英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導體
                  全新*英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導體

                  因為大多數IGBT模塊工作在交流電網通過單相或三相整流后的直流母線電壓下,所以,通常IGBT模塊的工作電壓,均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載,電網波動,開關過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子...

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                • 英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管
                  英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管

                  對于一個具體的應用來說,在選擇IGBT功率模塊時,需要考慮其在任何靜態、動態、過載(如短路)的運行情況下:器件耐壓;在實際的冷卻條件下,電流的承受力;合適的開關頻率;安全工作區(SOA)限制;最高運行...

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                • 西門康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件
                  西門康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件

                  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有...

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